عملية تقطير رابع كلوريد السيليكون

التقطير هو استخدام SiCl4 ، والفرق بين التقلب النسبي لمكونات الشوائب ، من خلال العديد من عمليات التغويز الجزئي والتكثيف الجزئي ، لتحقيق فصل السائل المختلط ، وذلك للحصول على منتجات رابع كلوريد السيليكون عالية النقاء. تتميز الطريقة بمزايا التشغيل البسيط ، ودرجة عالية من الأتمتة ، والتكوين المستمر والعائد الكبير ، ولكن من الصعب إزالة الشوائب مع التقلب النسبي لـ SiCl4 و BCl3 و AlCl3 و FeCl3 و PCl3 والشوائب القطبية الأخرى. ||| | يحتوي برج التقطير الشائع الاستخدام على برج صفيحي غربالي وبرج معبأ ، ويفضل استخدام معدات البرج المصنوعة من الفولاذ المقاوم للصدأ عالي النقاء أو زجاج الكوارتز لتجنب تلوث رابع كلوريد السيليكون في التنقية وتحسين تأثير التنقية.

اقترح السيد هي طريقة التقطير المستمر لرابع كلوريد السيليكون عالي النقاء للألياف الضوئية. الطريقة من خلال SiCl4 الخشنة ، أولاً في برج مكون إزالة التلوث لإزالة التلوث ، ثم خزان البرج الذي تم الحصول عليه من المواد إلى برج التطهير لإزالة التلوث ، وأخيراً في الخط الجانبي للحصول على درجة نقاء عالية SiCl4 للألياف الضوئية. يمكن لهذه الطريقة إعادة تدوير SiCl4 في إنتاج البولي سيليكون وتحقيق إنتاج مستمر ومستقر ، لذلك فهي مناسبة للإنتاج الصناعي على نطاق واسع.